买卖IC网 >> 产品目录 >> BSM100GB120DLC IGBT 模块 1200V 100A DUAL datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

BSM100GB120DLC

库存数量：可订货
制造商：Infineon Technologies
描述：IGBT 模块 1200V 100A DUAL
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> IGBT 模块
描述 IGBT 模块 1200V 100A DUAL
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制造商 Infineon Technologies
产品 IGBT Silicon Modules
配置 Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO 1200 V
集电极—射极饱和电压 2.1 V
在25 C的连续集电极电流 200 A
栅极—射极漏泄电流 400 nA
功率耗散 780 W
最大工作温度 + 125 C
封装 / 箱体 62 mm
封装
相关资料
属性
链接
代理商 BSM100GB120DLC
BSM100GB120DLCK
BSM100GB120DN2
BSM100GB120DN2_B2
BSM100GB120DN2_E3254
BSM100GB120DN2_E3256
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